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追求极限,台积电公布3nm 工艺,明年就可以试产
时间:2020-12-17 16:59:50

在2020年,因为疫情的持续影响,导致许多行业都出现了下滑,其中包含着全球半导体行业。但奇怪的是,台积电的业绩却不降反升。

台积电业绩增长的原因在于掌握着 7nm、5nm 的先进工艺,更加受客服青睐。在今天的财报会上,台积电还公布了最新的 3nm 工艺详情,预计于 2022年下半年量产。

据悉,台积电原本是将于4月29日的美国举行技术论坛上展示 3nm 工艺详情,但是因为疫情原因将会议延长到 8月份。好在台积电「按捺不住」,提前在今天 Q1 财报会议上公布 3nm 工艺技术信息及进度。

根据台积电的揭露,目前 3nm 工艺研发符合预期,预计会于2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。在技​​术方案上,台积电经过多种方案的评估,最终还是选择了 FinFET 工艺,因为其成本和能效更佳。

在未来 3nm 技术上,台积电最大的竞争对手为 Samsung,Samsung 对比台积电技术更加激进,将会直接使用GAA 环绕栅极晶体管。根据 Samsung 的信息,称 3nm 工艺将会比 7nm FinFET工艺,减少50%的能耗,增加30%的性能。可惜的是,Samsung 可能没有台积电研发顺利,原本计划在 2021年量产,但推迟到了 2022年。

随着 3nm 工艺的来临,将逼近硅基半导体的极限,虽然台积电称有信心推进到 2nm 甚至 1nm 工艺,但是需要解决不少的难题。

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