对于晶片来说，决定晶片性能高低的大部分因素来源于加工设备——光刻机，其发展决定着未来电子科技产品性能。
在本月中旬举办的一场日本东京ITF论坛上，与 ASML 合作研发光刻机的比利时半导体研究机构 IMEC 向外界公布了光刻机的研发细节。内容包含了 3nm 及以下製程的微缩层面技术细节。目前 ASML 就已经布局于 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未来发展路线规划。从计划展示中可以看到 1nm 时代的光刻机体积将会增大不少。
目前台积电、Samsung 商业化的 7nm、5nm 技术已引进了 NA=0.33 的 EUV 曝光设备，要想提升到 2nm 製程，就需要给更高分辨率的曝光设备，要求达到 NA=0.55。为了顺应未来需求，目前 ASML 已经完成了0.55NA 曝光设备的基本设计，并预计在 2022年实现商业化。
对于为什么 1nm 製程光刻机体积大幅度增大问题，其原因是更大尺寸的光学元器件加入，并且洁净室指标达到了目前的天花板。种种因素制约下，让光刻机的体积不减反增。
ASML 目前可以买到的两款极紫外光刻机分别是 TWINSCAN NXE:3400B 和 TWINSCAN NXE:3400C。更加先进的 3600D 计划明年年中出货，将会提升生产效率18%。
