日前，三星联合Synopsys宣布3nm GAA製程已经流片成功，此为全球首个GAA电晶体製程流片，别具意义。然而，三星并未透露3nm GAA製程何时量产，此为最关键的部分。

日前，有分析师引述高通高层之前的一个看法，认为2023年才会有3nm GAA製程的晶片问世，而更实际的时间点则是2024年，亦即是要3年后才能量产。

三星早于2019年公布3nm GAA製程的PDK规範时即表示，预计3nm GAA製程会于2020年底试产，2021年量产。现在来看，三星太乐观了，3nm GAA製程将会跳票三年时间。

往好的方面看之，3nm製程採用GAA电晶体技术之后，变化是值得期待的，与5nm製程相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，效能提高了约30%。

然而，另一面是，三星3nm GAA製程假使拖至2024年才能量产，届时台积电的2nm製程亦差不多量产了，同样採用了GAA电晶体技术，三星超越台积电的愿望恐怕要再次受到打击了。