您的位置:云骑士 > 科技 > 新闻 >
重磅!三星3nm製程迈出关键一步!
时间:2021-08-06 09:26:58

全球目前量产的最先进製程是5nm,台积电明年就要量产3nm製程,依然选择FinFET电晶体技术,三星则选择了GAA技术,日前三星成功流片了3nm GAA晶片,迈出了关键一步。

于3nm上,三星比较激进,直接选择了下一代製程技术:GAA环绕闸极电晶体,透过使用纳米材料设备製造出了MBCFET(Multi-Bridge Channel FET多桥通道场效电晶体),此技术可以显着增强电晶体效能,主要取代FinFET电晶体管。

据三星之说法,与5nm製程相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,效能提高了约30%。

三星早在2019年即公布了3nm GAA技术的PDK物理设计套件标準,此次3nm晶片流片是与Synopsys合作完成的,双方联合验证了此製程的设计、生产流程,是3nm GAA技术的里程碑。但三星、Synopsys并未透露此次验证的3nm GAA晶片详情,官方仅说GAA架构改进了静电特性,提高了效能、降低了功耗。

3nm GAA製程流片意味着离量产又近了一步,但最终的进度依然不好说,三星最早说于今年即能量产,后来延后至2022年,而从目前的情况来看,明年台积电3nm製程量产时,三星的3nm恐怕仍尚未準备好,依然是会晚一些。

相关下载
相关视频
相关教程
最新教程