作为工业级嵌入式储存解决方案的领导厂商之一，宜鼎国际(Innodisk)宣布了旗下首批工业级DDR5 DRAM产品。与DDR4时代相比，新一代记忆体模组带来了关键性能的一系列改进。除了容量和速率方面的优势，DDR5 DRAM产品还在可靠性与能效方面有更亮眼的表现。
容量方面DDR5允许将单颗IC的容量提升到四倍(最大64Gb)，因而单条记忆体可轻鬆提升至128GB 。此外参考JESD79-5 DDR5 SDRAM规範，其在电压和ECC 纠错等方面也有显着的改进。
传输速率方面DDR5的理论性能也较DDR4翻倍(达到了6400 MT/s)。另一项变化是将电源管理晶片(PMIC)从主机板端挪到了DRAM端，同时将标準工作电压从1.2V降至1.1V，以进一步降低整体功耗。不过最让我们感到欣喜的莫过于DDR5 DIMM支援单条双通道设计。两个较小的独立通道，有助于提升记忆体的访问效率和达成更高的速度，且每个DIMM拥有40-bit 通道(32-bit数据位元+8-bit ECC位元)。
目前Innodisk 提供的最高规格产品，就是单条32GB @ 4800 MT/s 的DDR5模组。考虑到DDR5规範的正式发布还不到一年，我们预计相关平台会在今年第4季做好全面铺货的準备。最后儘管DDR5将在超级电脑/大规模数据中心率先得到普及。但展望未来DDR5也能够在5G、深度学习、人工智慧、边缘计算、智慧医疗等关键任务应用领域充分发挥它的实力。
