AMD 藉由 YouTube 影片来说明新的 3D V-Cache 技术与即将到来的 Zen 3+ 处理器。

AMD 在 COMPUTEX 2021 发表 3D V-Cache 技术採用 TSMC SoIC stacking 堆叠技术，让晶片可往 Z 轴堆叠而非只能增加 X 轴的面积。而当时展示的是 Ryzen 9 5900X 12-Core 处理器的原型，并在每个 CCX 当中增加 64 MB L3 cache 快取，基本上就是增加 CPU 的 3 倍 L3 快取量，更可增加游戏 FPS 约 15%。

而 AMD 并非採用 microbump 的堆叠技术，而是将上层的 L3 cache 与下层的 CCX 核心对齐，直接採用 TSVs (Through Silicon Vias) 通孔连接;而为了达到这设计，AMD 将 CCX 晶片上下颠倒，并消除多余的 silicon 后直接堆叠 3D V-Cache 裸晶。

最终可让 CPU 存取 L3 快取的时间缩短，藉由 zero-gap 的堆叠，让核心存取 Z 轴快取比起以往 X 轴的快取还快，通过这点达到功耗优化、提升效能。