三星Exynos 2400芯片虽然与竞争对手台积电n4p相比整体的良率较低，不过三星Exynos 2400芯片良率已经比一年前好很多了。此次三星Exynos 2400芯片所采用的是4 lpp+工艺，能够达到60%整体的优秀良率。并且这次三星Exynos 2400芯片所采用的是三星首款扇出晶圆级封装的智能手机芯片组，所以整体的性能和耐热性非常高，并且可以使得多核性能提升8%左右。

　　也正是由于这一出色表现，使得三星Exynos 2400芯片在使用Fowlp技术时，整体的耐热性能能够提升23%。并且在最新的3d Mark wildlife极限压力测试当中，表现状态非常优秀。其实从上个月开始，三星的代工厂已经针对第二代3 nm级工艺sf 3进行了试生产，而根据有关信息爆料，该公司将会在未来的六个月内将良率提升至60%以上。

　　而三星科技公司曾表示，将会计划在2024的下半年大规模生产sf 3芯片，并且，该公司还将计划在2025到2026年开始推出2nm芯片。由于Sf 3节点在同一单元内可以实现不同的GAA晶体管纳米片通道宽度，所以可以使得整体芯片带来更低的功耗水平和更高的性能释放，为后续的科技提升带来更多的帮助和作用。