WD显然已将採用五层单元 (PLC) NAND 的快闪记忆体的推出延迟到2025年。该公司早在2019年就已经披露了该技术的开发情况，大约在Toshiba宣布该技术的同时(Toshiba现在是 Kioxia，以及WD技术开发合作伙伴)。该讯息是在美银美林2021年全球技术大会上披露的，WD的技术和战略主管Siva Sivaram表示，我预计 [从QLC到PLC] 的过渡会更慢。

PLC是NAND的另一个密度增加，由此每个NAND单元可以写入5位元，从而增加相同NAND佔用空间中可用的讯息量。为了实现这5位元，每个单元必须储存32种电压状态中的一种，进而通知控制器此处储存了哪些相应的数据位元。Siva Sivaram表示他预计该技术需要比大多数技术更多的时间才能成熟，因为需要开发控制器，以利用增加的密度，同时弥补这种增加的每单元bit方法(较低的耐力和较低的性能)。PLC本身不会为我们带来HDD层的储存密度(它只能使每个单元多储存25% 的数据)。