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SK 海力士宣布量产 238 层 4D NAND 闪存:速度提升 50% 达 2.4Gbps,已率先在手机测试
时间:2023-06-08 10:33:26

  6 月 8 日消息,SK 海力士于今日(6 月 8 日)发布公告,宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。

  SK 海力士在公告中称,已开始量产 238 层 4D NAND 闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。

  SK 海力士强调:“公司以 238 层 NAND 闪存为基础,成功开发适用于智能手机和 PC 的客户端 SSD(Client SSD)解决方案产品,并在 5 月已开始量产。公司在 176 层甚至在 238 层产品,都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力,期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

  据介绍,238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的 176 层提升了 34%。此产品的数据传输速度为每秒 2.4Gb(千兆比特),号称比上一代的速度快 50%,并且改善了约 20% 的读写性能。

  SK 海力士表示,计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应 238 层 NAND 闪存,随后将其适用范围扩大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

  SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就导入了 4D 方式,采用电荷捕获型技术 (CTF,Charge Trap Flash) 和 PUC(Peri. Under Cell)技术。相比 3D 方式,4D 架构号称具有单元面积更小、生产效率更高的优点。

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