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SK 海力士展示全球最高层 321 层 NAND 闪存样品,效率提高 59%
时间:2023-08-09 12:05:11

  8 月 9 日消息,SK 海力士今日宣布,通过 321 层 4D NAND 样品的发布,正式成为业界首家正在开发 300 层以上 NAND 闪存的公司。

  SK 海力士宣布,将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。

  附 SK 海力士 321 层 1Tb TLC NAND 介绍如下:

  321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层 512Gb 提高了 59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高,在相同芯片上实现更大存储容量,进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

  此外,SK 海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代 NAND 产品解决方案:采用 PCIe 5 (Gen5) 接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD) 及 UFS 4.0。

  SK 海力士还表示,公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上,正在积极开发下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 产品,以致力于在未来继续引领市场。

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